3.3印制電路板 printed circuit board（PCB）

在絕緣基材上，按預定設計形成印制元件、印制線路或兩者結合的導電圖形的印制電路或印制線路成品板。包括剛性板與撓性板，單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，以及剛撓結合印制電路板和高密度互連印制電路板等。

3.4半導體器件 semiconductor device

利用半導體材料的特殊電特性制造，以實現特定功能的電子器件。包括分立器件和集成電路兩大類產品。

3.5光電子器件 photoelectron component

利用半導體光-電子（或電-光子）轉換效應制成的各種功能器件。包括發光二極管（LED）；半導體光電器件中的光電轉換器、光電探測器等；激光器件中的氣體激光器件、半導體激光器件、固體激光器件、靜電感應器件等；光通信電路及其他器件；半導體照明器件等。

3.6顯示器件 display device

基于電子手段呈現信息供視覺感受的器件。包括薄膜晶體管液晶顯示器件（TN/STN-LCD、TFT-LCD）、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件（LTPS-TFT-LCD）、有機發光二極管顯示器件（OLED）、真空熒光顯示器件（VFD）、場發射顯示器件（FED）、等離子顯示器件（PDP）、曲面顯示器件以及柔性顯示器件等。

3.7電子終端產品 electron terminals products

以采用印制電路板（PCB）組裝工藝技術為基礎裝配的具有獨立應用功能的電子產品或組件。包括計算機以及其他電子設備。

3.8揮發性有機物 volatile organic compounds（VOCs）

參與大氣光化學反應的有機化合物，或者根據有關規定確定的有機化合物。

本標準采用非甲烷總烴（以NMHC表示）作為揮發性有機物綜合控制項目。

3.9非甲烷總烴 non-methane hydrocarbons（NMHC）

采用規定的監測方法，氫火焰離子化檢測器有響應的除甲烷外的氣態有機化合物的總和，以碳的質量濃度計。

3.10企業邊界 enterprise boundary

電子工業企業或生產設施的法定邊界。若難以確定法定邊界，則指企業或生產設施的實際占地邊界。

3.11VOCs物料 VOCs-containing materials

VOCs質量占比大于等于10%的原輔材料、產品和廢料（渣、液），以及有機聚合物原輔材料和廢料（渣、液）。

3.12密閉排氣系統 closed vent system

將工藝設備或車間排出或逸散出的大氣污染物，捕集并輸送至污染控制設備或排放管道，使輸送的氣體不直接與大氣接觸的系統。

3.13VOCs治理設施 treatment facility for VOCs

處理VOCs的吸收裝置、吸附裝置、冷凝裝置、燃燒裝置、生物處理設施或其它有效的污染處理設施。

3.14揮發性有機液體 volatile organic liquid

任何能向大氣釋放VOCs的符合以下任一條件的有機液體：（1）真實蒸氣壓大于等于0.3 kPa的單一組分有機液體；（2）混合物中真實蒸氣壓大于等于0.3 kPa的組分總質量占比大于等于20%的有機液體。

3.15真實蒸氣壓 true vapor pressure

有機液體工作（儲存）溫度下的飽和蒸氣壓（絕對壓力），或者有機混合物液體氣化率為零時的蒸氣壓，又稱泡點蒸氣壓，可根據GB/T 8017測定的雷德蒸氣壓換算得到。

注：在常溫下工作（儲存）的有機液體，其工作（儲存）溫度按常年的月平均氣溫最大值計算。

3.16開式循環冷卻水系統 open recirculating cooling water system

循環冷卻水與大氣直接接觸散熱的循環冷卻水系統。

3.17現有污染源 existing pollution source

本標準實施之日前，已建成投產或環境影響評價文件已通過審批的工業企業和生產設施。

3.18新建污染源 new pollution source

本標準實施之日起，環境影響評價文件通過審批的新建、改建和擴建的建設項目。

4 時段劃分

4.1 現有污染源自本標準實施之日起至2020年3月31日止執行第Ⅰ時段規定的限值，自2020年4月1日起執行第Ⅱ時段規定的限值。

4.2 新建污染源自本標準實施之日起執行第Ⅱ時段規定的限值。

4.3 廠區內VOCs無組織監控要求自2020年4月1日起執行。

4.4 其他未劃分時段的排放限值和控制要求等，自本標準實施之日起執行。

5 有組織排放控制要求

5.1 電子工業生產過程中，設備或車間排氣筒排放大氣污染物濃度執行表1規定的限值。

5.2 VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置除滿足表1規定的限值外，還需對排放煙氣中的氮氧化物、二噁英類進行控制，達到表2規定的限值。

5.3 進入VOCs 燃燒（焚燒、氧化）裝置的廢氣需要補充空氣進行燃燒、氧化反應的，排氣筒中實測大氣污染物排放濃度，應按公式（1）換算為基準含氧量為3%的大氣污染物基準排放濃度，并以基準排放濃度作為達標判定依據。進入VOCs 燃燒（焚燒、氧化）裝置中廢氣含氧量可滿足自身燃燒、氧化反應需要，不需另外補充空氣的（燃燒器需要補充空氣助燃的除外），按排氣筒中實測大氣污染物濃度作為達標判定依據，但裝置出口煙氣含氧量不得高于裝置進口廢氣含氧量。

5.4 非燃燒（焚燒、氧化）類廢氣處理裝置的排放口以實測濃度作為達標判定依據。

編輯：李丹